參數(shù)資料
型號： IRF8113
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 207K
代理商： IRF8113
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage Vs. Temperature
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
VG
ID = 250μA
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.924 0.000228
13.395 0.1728
22.046 1.5543
14.911 22.5
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ID
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PDF描述
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參數(shù)描述
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