參數(shù)資料
型號： IRF7701
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-12V)
中文描述： 功率MOSFET（12V的減振鋼板基本\u003d-）
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： IRF7701
IRF7701
www.irf.com
7
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
Fig 15.
Typical Power Vs. Time
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
Time (sec)
0
10
20
30
40
P
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
-G
ID = -250μA
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PDF描述
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IRF7704 Power MOSFET(Vdss=-40V)
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參數(shù)描述
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IRF7701GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -10A 11mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7701HR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -10A, 11 MOHM, 69 NC QG, TSSOP-8 - Rail/Tube
IRF7701PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, TSSOP-8
IRF7701TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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