參數(shù)資料
型號： IRF7701
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-12V)
中文描述： 功率MOSFET（12V的減振鋼板基本\u003d-）
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： IRF7701
IRF7701
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.5A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
52
53
-1.2
78
80
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
-80
-1.5
A
When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-12
–––
––– -0.006 –––
–––
––– 0.011
–––
––– 0.015
–––
––– 0.022
-0.45 –––
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
69
–––
9.1
–––
21
–––
19
–––
20
–––
240
–––
220
–––
5050 –––
–––
1520 –––
–––
1120 –––
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -10A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -8.5A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -7.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -10A
V
DS
= -12V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -8.0V
V
GS
= 8.0V
I
D
= -8.0A
V
DS
= -9.6V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -6.0V
I
D
= -1.0A
R
D
= 6.0
V
GS
= -4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz
V/°C
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
-1.2
–––
1.0
-25
-100
100
100
14
32
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
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PDF描述
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IRF7703 Power MOSFET(Vdss=-40V)
IRF7704 Power MOSFET(Vdss=-40V)
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