參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7509PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： IRF7509PBF
6
www.irf.com
Fig 18.
Maximum Safe Operating Area
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
/.-
Fig 20.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 19.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 21.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THSINGLE PULSE
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
V = -24V
V = -15V
I = -1.2A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
0
100
200
300
400
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
N-P - Channel
0.1
1
10
100
1
10
100
OPERATION BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7509TR Power MOSFET(Vdss=+-30V)
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參數(shù)描述
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