參數(shù)資料
型號： IRF7509PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： IRF7509PBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Typical Output Characteristics
Fig 13.
Typical Transfer Characteristics
Fig 12.
Typical Output Characteristics
0.1
1
10
0.1
1
10
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-3.0V
VGS
0.1
1
10
0.1
1
10
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-3.0V
VGS
- 7.0V
- 4.0V
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
0.1
1
10
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
T = 25°C
J
T = 150°C
J
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -10V
20μs PULSE WIDTH
Fig 14.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 15.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
R
D
(
A
V = -10V
I = -1.2A
Fig 16.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
/.-
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PDF描述
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