參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7501
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 0.135ohm）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 143K
代理商： IRF7501
IRF7501
www.irf.com
5
Fig 10.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 8.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
100
200
300
400
500
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
G
A
-
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
I = 1.7A
V = 16V
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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