參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7484PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： IRF7484PBF
IRF7484PbF
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 14.
Typical Threshold Voltage Vs.
Junction Temperature
Typical Power Vs. Time
0
20
40
60
80
100
120
ID , Drain Current (A)
8.60
8.70
8.80
8.90
9.00
9.10
9.20
9.30
9.40
RD
)
VGS = 7.0V
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
VG
ID = 250μA
1.00
10.00
100.00
1000.00
Time (sec)
0
10
20
30
40
50
P
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
RD
)
ID = 14A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7493PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7501 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7503 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7504 Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm)
IRF7506 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm)
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參數(shù)描述
IRF7484Q 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7484TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 14A 10mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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