參數(shù)資料
型號： IRF7476
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 12V的，身份證\u003d 15A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 111K
代理商： IRF7476
IRF7476
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
R
=12V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 12A, V
R
=12V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.87
0.73
55
59
54
60
1.2
–––
82
89
81
90
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
160
12
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
2.5
120
A
Min. Typ. Max. Units
31
–––
–––
26 40 I
D
= 12A
–––
4.6
–––
–––
11
–––
–––
17
–––
–––
11
–––
–––
29
–––
–––
19
–––
–––
8.3
–––
–––
2550
–––
–––
2190
–––
–––
450
–––
Conditions
V
DS
= 6.0V, I
D
= 12A
–––
S
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 5.0V
V
DD
= 6.0V
I
D
= 12A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 6.0V
= 1.0MHz
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
12
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.014 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
6.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
30
1.9
100
250
200
-200
V
GS
= 4.5V, I
D
= 15A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7478QPBF SMPS MOSFET
IRF7484PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7493PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7501 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7503 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
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參數(shù)描述
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IRF7476PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:N
IRF7476TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7476TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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