參數(shù)資料
型號： IRF7473
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，身份\u003d 6.9A）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRF7473
IRF7473
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
6.9A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
6.5V
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.5V
0.01
0.1
1
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
20μs PULSE WIDTH
V = 25V
DS
I
D
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
6.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP VGS
12V
10V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
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IRF7473PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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