參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7457
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 7.0mohm，身份證\u003d 15A條）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： IRF7457
IRF7457
6
www.irf.com
Fig 14.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 14a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 14c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
0
20
40
60
80
100
120
ID , Drain Current ( A )
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
RD
VGS = 4.5V
VGS = 10V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
RD
)
ID = 15A
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
BOTTOM
ID
5.4A
9.6A
12A
TOP
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7457TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7458HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
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