參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7457
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 7.0mohm，身份證\u003d 15A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： IRF7457
IRF7457
2
www.irf.com
Symbol
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Avalanche Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 28 42 I
D
= 12A
–––
11
17
–––
10
15
–––
25
38
–––
14
–––
–––
16
–––
–––
16
–––
–––
7.5
–––
–––
3100 –––
–––
1600 –––
–––
270
–––
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 12A
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V,
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V,
I
D
= 12A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
pF
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
R
= 15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 12A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.8
0.67
50
70
50
74
1.3
–––
75
105
75
110
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
265
15
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
S
D
G
Diode Characteristics
2.5
120
A
V
SD
Diode Forward Voltage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.023 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
5.5
8.0
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
10.5
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7457TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7458HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
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