參數(shù)資料
型號: IRF7457
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 7.0mohm,身份證\u003d 15A條)
文件頁數(shù): 3/8頁
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代理商: IRF7457
IRF7457
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.7V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
15V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.7V
0.1
1
10
100
1000
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
20μs PULSE WIDTH
V = 15V
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I
V
=
=
GS
D
10V
15A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7457TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7457TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 15A 7mOhm 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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