參數(shù)資料
型號： IRF7455
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.0071ohm，身份證\u003d 15A條）
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代理商： IRF7455
IRF7455
www.irf.com
7
SO-8 Package Details
K x 45°
C
8X
L
8X
θ
H
0.25 (.010) M A M
A
0.10 (.004)
B 8X
0.25 (.010) M C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8 7 6 5
1 2 3 4
5
6
5
RECOMMENDED FOOTPRINT
0.72 (.028 )
8X
1.78 (.070)
8X
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
3X
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
B .014 .018 0.36 0.46
C .0075 .0098 0.19 0.25
D .189 .196 4.80 4.98
E .150 .157 3.81 3.99
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ
0° 8° 0° 8°
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3. DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS (INCHES).
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
DIMENSIONS IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE..
6
5
A1
e1
θ
SO-8 Part Marking
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
IRF7457 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
IRF7458 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
IRF7459PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7459 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A)
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參數(shù)描述
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IRF7455PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7455PBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7455TR 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
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