參數(shù)資料
型號： IRF7455
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.0071ohm，身份證\u003d 15A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 167K
代理商： IRF7455
IRF7455
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
15A
V
= 24V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
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IRF7458 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
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參數(shù)描述
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IRF7455PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7455PBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7455TR 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai
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