參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7420PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大小： 173K
代理商： IRF7420PBF
www.irf.com
7
Fig 15.
Typical Vgs(th) Vs.
Junction Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-G
ID = -250μA
Fig 16
Typical Power Vs. Time
0.0001
0.0010
0.0100
0.1000
1.0000 10.0000 100.0000
Time (sec)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7421D1PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7433PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7451 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
IRF7452QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7452 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7420TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7420TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7421D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7421D1_98 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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