參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7420PbF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 173K
代理商： IRF7420PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
-
G
I =
-11.5A
V
=-6V
DS
V
=-9.6V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 °
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
100us
1ms
10ms
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7421D1PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7433PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7451 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
IRF7452QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7452 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7420TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7421D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7421D1_98 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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