參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7413PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 221K
代理商： IRF7413PBF
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
!" #
$
$
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
I = 7.3A
V = 24V
V = 15V
1
10
100
0.4
1.2
2.0
2.8
3.6
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7413QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7413ZUPBF HEXFT Power MOSFET
IRF7416QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7420PbF HEXFET Power MOSFET
IRF7421D1PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7413QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
IRF7413QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
IRF7413TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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