參數(shù)資料
型號: IRF740SPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=0.55ヘ , ID=10A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d為400V,的RDS(on)\u003d 0.55ヘ,身份證\u003d 10A條)
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大?。?/td> 951K
代理商: IRF740SPBF
8
www.irf.com
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
D
2
Pak Tape & Reel Infomation
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
04/04
相關PDF資料
PDF描述
IRF7413PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7413QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7413ZUPBF HEXFT Power MOSFET
IRF7416QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7420PbF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF740ST4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
IRF740STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740STRR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF740STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube