參數(shù)資料
型號： IRF7379QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 255K
代理商： IRF7379QPBF
8
www.irf.com
Fig 19.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 18.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 20.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
A
-
G
I = -3.0A
V = -24V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 22
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
IRF737LCPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7380PBF HEXFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
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