參數(shù)資料
型號: IRF7379QPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 255K
代理商: IRF7379QPBF
www.irf.com
7
Fig 15.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 16.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
D
(
A
V = -10V
I = -3.0A
0
2
4
6
8
10
12
14
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
R
-I , Drain Current (A)
D
VGS = -4.5V
VGS = -10V
0
4
8
12
16
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
R
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
ID = -4.3A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF737LCL 功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件