參數(shù)資料
型號： IRF7379QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 255K
代理商： IRF7379QPBF
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical Transfer Characteristics
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Fig 11.
Typical Output Characteristics
Fig 14.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
1
10
100
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -15V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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