- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299220 > IRF730ASTRRPBF 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF730ASTRRPBF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | IRF730ASTRRPBF |
IRF730AS/LPbF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
Fig 14. For N-Channel HEXFETS
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7341IPBF | 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF743 | 8 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF842 | 7 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFD014 | 1.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFD211 | 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF730B | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF730BPBF | 功能描述:MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF730CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP |
| IRF730FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRF730L | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。