參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7220
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 141K
代理商： IRF7220
IRF7220
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
-
D
Fig 10.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
-4.9A
-8.8A
-11A
TOP
BOTTOM
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