參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6626
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET TM Power MOSFET
中文描述： 商標(biāo)的DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 643K
代理商： IRF6626
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
64
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
23
4.0
5.2
–––
-6.0
–––
–––
–––
–––
–––
19
5.2
1.6
6.7
5.5
8.3
13
–––
13
15
17
4.5
2380
530
260
Max. Units
–––
–––
5.4
7.1
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
29
–––
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
nC
–––
–––
–––
1.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
See Fig. 17
nC
ns
pF
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
52
I
S
A
I
SM
–––
–––
130
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
15
5.4
1.0
23
8.1
V
ns
nC
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V, I
D
= 13A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 13A
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
I
D
= 13A
Clamped Inductive Load
T
J
= 25°C, I
F
= 13A
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 13A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 16A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 13A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
MOSFET symbol
Conditions
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6635PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6635TRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6637 DirectFETPower MOSFET
IRF6637TR1 DirectFETPower MOSFET
IRF6665 DIGITAL AUDIO MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6626TR1 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6626TR1PBF 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6626TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6626TRPBF 功能描述:MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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