參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6616
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRF6616
www.irf.com
5
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
T
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
EA
ID
TOP
3.7A
4.3A
BOTTOM
15A
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
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PDF描述
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