參數(shù)資料
型號： IRF6614
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 259K
代理商： IRF6614
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
–––
–––
V
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
–––
38
5.9
–––
8.3
mV/°C
m
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
7.1
9.9
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
1.35
1.80
2.25
V
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-5.5
–––
mV/°C
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
1.0
μA
–––
–––
150
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
-100
gfs
Q
g
Forward Transconductance
71
–––
–––
S
Total Gate Charge
–––
19
29
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
5.9
–––
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
1.4
–––
nC
Gate-to-Drain Charge
–––
6.0
–––
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
–––
5.7
–––
See Fig. 17
–––
7.4
–––
–––
–––
9.5
1.0
–––
1.5
nC
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–––
13
–––
Rise Time
–––
27
–––
Turn-Off Delay Time
–––
18
–––
ns
Fall Time
–––
3.6
–––
Input Capacitance
–––
2560
–––
Output Capacitance
–––
370
–––
pF
Reverse Transfer Capacitance
–––
200
–––
Parameter
Continuous Source Current
Min.
Typ.
Max. Units
I
S
–––
–––
2.6
(Body Diode)
A
I
SM
Pulsed Source Current
–––
–––
102
(Body Diode)
V
SD
t
rr
Q
rr
Diode Forward Voltage
–––
–––
1.0
V
Reverse Recovery Time
–––
15
23
ns
Reverse Recovery Charge
–––
5.5
8.3
nC
MOSFET symbol
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V, I
D
= 10.2A
Conditions
= 1.0MHz
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 20V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 10.2A
V
DS
= 20V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 10.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 12.7A
T
J
= 25°C, I
F
= 10.2A
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 10.2A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 10.2A
V
GS
= 0V
V
DS
= 20V
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