參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6603
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： IRF6603
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
56
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
28
–––
2.4
3.4
3.9
5.5
–––
2.5
-6.3
–––
–––
30
–––
50
–––
100
–––
100
–––
-100
–––
–––
48
72
15.6
–––
5.2
–––
16.1
–––
11.1
–––
21.3
–––
28
–––
1.0
2.0
20
–––
9.9
–––
24
–––
71
–––
6590
–––
1250
–––
520
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
TJ
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
25
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
200
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
1.0
45
60
1.3
68
90
V
ns
nC
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -12V
–––
V
GS
= 4.5V
I
D
= 20A
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
I
D
= 20A
Clamped Inductive Load
49
20
4.1
T
J
= 25°C, I
F
= 20A
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 20A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 20A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
Max.
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
MOSFET symbol
V
DS
= 15V, I
D
= 20A
Conditions
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V
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PDF描述
IRF6613 VCXO TCXO VCTCXO
IRF6616 DirectFET Power MOSFET
IRF6618PBF DirectFET㈢Power MOSFET ㈢
IRF6618TRPBF DirectFET㈢Power MOSFET ㈢
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參數(shù)描述
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IRF6604 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6607 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6607TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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