參數(shù)資料
型號： IRF6602TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 200K
代理商： IRF6602TR1
www.irf.com
9
DirectFET
(Medium Size Can, Q-Designation)
Outline Dimension,
MQ Outline
NOTE: CONTROLLING
DIMENSIONS ARE IN MM
MIN
6.25
4.80
3.85
0.35
0.68
0.68
0.69
0.57
0.23
1.57
2.95
0.59
0.03
MIN
0.246
0.189
0.152
0.014
0.027
0.027
0.027
0.022
0.009
0.062
0.116
0.023
0.001
MAX
6.35
5.05
3.95
0.45
0.72
0.72
0.73
0.61
0.27
1.70
3.12
0.70
0.08
MAX
0.250
0.199
0.156
0.018
0.028
0.028
0.029
0.024
0.011
0.067
0.123
0.028
0.003
CODE
A
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L
M
N
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6603 HEXFETPower MOSFET
IRF6613 VCXO TCXO VCTCXO
IRF6616 DirectFET Power MOSFET
IRF6618PBF DirectFET㈢Power MOSFET ㈢
IRF6618TRPBF DirectFET㈢Power MOSFET ㈢
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6603 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6603TR1 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6607 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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