參數(shù)資料
型號： IRF6602TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6602TR1
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
11A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
VGS
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
TOP 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
VGS
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
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PDF描述
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