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參數(shù)資料
| 型號： | IRF634NPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | IRF634NPBF |
IRF634N/S/LPbF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
7.0V
5.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
°
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
7.9A
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PDF描述 |
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