參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6156
廠商： International Rectifier
英文描述： FlipFET Power MOSFET
中文描述： FlipFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
文件大小： 249K
代理商： IRF6156
www.irf.com
13
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
09/03
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
12mm
RECOMMENDED FOOTPRINT
1. TAPE AND REEL OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES:
12mm
4mm
FEED DIRECTION
A1 BALL
0.800 [.032]
SourC2
SourC1
B2
Source 2
Source 1
B1
0.802x
Gate 2
A2
Gate 1
A1
6X 0.25 [.010]
13"
0.20 [.008] C
NOTES:
1. DIMENSIONING& TOLERANCNGPER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLINGDIMENSION: MLLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MLLIMETERS [INCHES].
A2 = G2
B1 = S1
B2 = S2
C1 = S1
A1 = G1
PAD ASSIGNMENTS
C
C2 = S2
0.05 [.002] C
DATE CODE
PART NUMBER
LOT NUMBER
A1 BALL
LOCATION MARK
B
0.10 [.004] C
0.15 [.006]
0.08 [.003]
C A B
C
0.388 [.0153]
0.338 [.0133]
6X
2X
0.10 [.004] C
A
0.280 [.0110]
0.240 [.0094]
0.812 [.032]
0.752 [.029]
0.537 [.0211]
0.507 [.0199]
2.324
[.092]
0.80
[.032]
1.524
[.060]
Bi-Directional MOSFET Pinout Outline Dimension and Tape and Reel Information
Drawing No. 01-0115
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF646 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF620 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF620 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF620_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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