參數(shù)資料
型號(hào): IRF6156
廠商: International Rectifier
英文描述: FlipFET Power MOSFET
中文描述: FlipFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 12/13頁(yè)
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代理商: IRF6156
12
www.irf.com
I
SSS
and V
(BR)SSS
are symmetrical and can be measured when connected
either as figures 23a or 23b.
Fig 22a
Fig 23a
Fig 23b
Fig 22b
I
GSS
Test Connection
D
S1
S2
G2
G1
Q1
Q2
D
S2
S1
G1
G2
Q2
Q1
D
S1
S2
G2
G1
Q1
Q2
D
S2
S1
G1
G2
Q2
Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF646 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF620 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF620_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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