參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6100PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 628K
代理商： IRF6100PBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-
D
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF610PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF620PBF HEXFET Power MOSFET
IRF620SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A )
IRF6215LPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
IRF6215SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
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參數(shù)描述
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