參數(shù)資料
型號： IRF6215SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為150V，的RDS（on）\u003d 0.29ヘ，身份證\u003d- 13A條）
文件頁數(shù)： 1/11頁
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代理商： IRF6215SPBF
www.irf.com
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相關PDF資料
PDF描述
IRF6215PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF6217PBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF6218L HEXFET Power MOSFET
IRF6218S HEXFET Power MOSFET
IRF624PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6215SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6215STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -150V, -13A, 290 mOhm, 44 nC Qg, D2-Pak
IRF6215STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF6215STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6215STRR 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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