參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6100PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 628K
代理商： IRF6100PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-20
–––
––– -0.010 –––
–––
––– 0.065
––– 0.095
-0.45 –––
9.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
–––
1.9
–––
5.0
–––
12
–––
12
–––
50
–––
50
–––
1230 –––
–––
250
–––
180
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -5.1A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -4.1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -5.1A
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= -5.1A
V
DS
= -16V
V
GS
= -5.0V
V
DD
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 5.8
V
GS
= -4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
-1.2
–––
-1.0
-25
100
-100
21
2.9
7.5
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.2A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
48
34
-1.2
72
51
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
-33
-2.2
When mounted on 1 inch square 2oz copper on FR-4.
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF610PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF620PBF HEXFET Power MOSFET
IRF620SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A )
IRF6215LPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
IRF6215SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
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參數(shù)描述
IRF610-613 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
IRF610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRF610B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF610B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF610L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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