參數(shù)資料
型號： IRF520
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 9.2A, 100V, 0.270 Ohm,, N-Channel Power MOSFET(9.2A, 100V, 0.270 Ω,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/7頁
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代理商： IRF520
4-176
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.85
0
180
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
1.15
0.95
0.75
-60
B
60
120
I
D
= 250
μ
A
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
1000
800
600
400
200
0
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1
10
10
2
C
ISS
C
OSS
C
RSS
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
3
6
9
12
0
15
5
4
3
0
2
g
f
,
1
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50
T
J
= 175
o
C
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
100
10
0.1
0
0.4
1.2
1.6
2.0
0.8
T
J
= 25
o
C
1
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
3
6
9
12
0
15
20
8
0
V
G
,
4
I
D
= 9.2A
16
12
V
DS
= 20V
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
IRF520
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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