參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3808PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： IRF3808PBF
IRF3808PbF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
0
160
320
480
640
800
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
34A
58A
82A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3808 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
IRF4000 IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
IRF4104LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數(shù)描述
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