參數(shù)資料
型號： IRF3808PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： IRF3808PBF
IRF3808PbF
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
140
T , Case Temperature
( °
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料
PDF描述
IRF3808 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
IRF4000 IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
IRF4104LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF3808SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:200W
IRF3808STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262
IRF3808STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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