參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3808
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 75V的，的Rds（on）\u003d 0.007ohm，身份證\u003d律目140A）
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 131K
代理商： IRF3808
IRF3808
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature (
°
C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
0
160
320
480
640
800
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
34A
58A
82A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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