參數(shù)資料
型號： IRF3808
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 75V的，的Rds（on）\u003d 0.007ohm，身份證\u003d律目140A）
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： IRF3808
IRF3808
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 175
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
82A
V
= 15V
DS
V
= 37V
DS
V
= 60V
DS
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PDF描述
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IRF3808LPBF 功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3808PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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