型號: | IRF3711L |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 6.0mohm,身份證\u003d已廢除) |
文件頁數(shù): | 6/11頁 |
文件大?。?/td> | 245K |
代理商: | IRF3711L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF3711S | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A) |
IRF3717 | HEXFETPower MOSFET |
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IRF3808 | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF3711LHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-262 - Bulk |
IRF3711LPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF3711PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6mOhm HEXFET 110A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF3711S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3711SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Bulk |