參數(shù)資料
型號： IRF3711L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 6.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁數(shù)： 2/11頁
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代理商： IRF3711L
2
www.irf.com
IRF3711/3711S/3711L
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 125
°
C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 16A, V
R
=10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125
°
C, I
F
= 16A, V
R
=10V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.82
50
61
48
65
1.3
–––
75
92
72
98
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
460
30
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
110
440
A
Min. Typ. Max. Units
53
–––
–––
29 44 I
D
= 15A
–––
7.3
–––
–––
8.9
–––
–––
33
–––
–––
12
–––
–––
220
–––
–––
17
–––
–––
12
–––
–––
2980
–––
–––
1770
–––
–––
280
–––
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 30A
–––
S
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V
I
D
= 30A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.022
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
4.7
6.2
–––
–––
–––
–––
–––
6.0
8.5
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3711S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3717 HEXFETPower MOSFET
IRF3805S-7P AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3808 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3711LHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-262 - Bulk
IRF3711LPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3711PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6mOhm HEXFET 110A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3711S 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3711SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Bulk
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