參數(shù)資料
型號： IRF3710ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 270K
代理商： IRF3710ZS
10
www.irf.com
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
Dimensions are shown in millimeters (inches)
相關PDF資料
PDF描述
IRF3711ZCL HEXFET Power MOSFET
IRF3711ZCS HEXFET Power MOSFET
IRF3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3711L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3711S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3710ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3710ZSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3710ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3710ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 82nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3711 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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