參數(shù)資料
型號(hào): IRF3710L
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.025ohm,身份證\u003d 57A條)
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代理商: IRF3710L
IRF3710S/L
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
0
200
400
600
800
1000
1200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 11A
20A
BOTTOM 28A
V = 25V
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3710S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
IRF3710PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3710Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZS AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3710LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3710PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3710S 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
IRF3710SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF3710SPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube