參數(shù)資料
型號： IRF3710L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.025ohm，身份證\u003d 57A條）
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代理商： IRF3710L
IRF3710S/L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 28A
1
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3710S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
IRF3710PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3710Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZS AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3710LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF3710S 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
IRF3710SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF3710SPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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