參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3709Z
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRF3709Z
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ID
Limited By Package
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.832 0.000221
1.058 0.001171
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3709 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
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IRF3710L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
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參數(shù)描述
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