參數(shù)資料
型號： IRF3709Z
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 12/12頁
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRF3709Z
12
www.irf.com
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
01/04
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.42mH, R
G
= 25
,
I
AS
= 17A.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
C
oss
eff. is a fixed capacitance that gives the same
charging time as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to
80% V
DSS
.
This is applied to D
2
Pak, when mounted on 1" square PCB (FR-
4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering
techniques refer to application note #AN-994.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 42A.
R
θ
is measured at
Dimensions are shown in millimeters (inches)
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
相關PDF資料
PDF描述
IRF3709 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3710L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
IRF3710S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
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參數(shù)描述
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IRF3709ZCSPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZCSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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