參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1405ZSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 75A )
中文描述： 汽車MOSFET的（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d4.9米ヘ，身份證\u003d 75A條）
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大小： 816K
代理商： IRF1405ZSPBF
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"!!
#$$
!"!!%"
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1407LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
IRF1407SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )
IRF1407PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1503PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1607 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0075ohm, Id=142A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1405ZSTRL-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1405ZSTRL7PP 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 150nC-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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