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參數(shù)資料
| 型號： | IRF1312LPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | IRF1312LPBF |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
E
A
°
ID
TOP
BOTTOM
23A
40A
57A
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1312PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF1312SPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF1503SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF1704 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A) |
| IRF1730G | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF1312PBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1312S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF1312SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 95A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
| IRF1312SPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF1312STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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