參數(shù)資料
型號： IRF1312LPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF1312LPBF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 95A
VGS = 10V
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PDF描述
IRF1312PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF1312S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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